У напівпровідниковій індустрії давно існує незмінне правило: коли елементи стають меншими, вони починають гірше працювати. Зменшення розміру призводить до витоку струму, перегріву та втрати стабільності, що фактично закриває шлях до подальшої мініатюризації флеш-пам'яті. Однак дослідники з Інституту науки Токіо (Science Tokyo) виявили нову феросегнетну тунельну пам'ять, яка робить протилежне — її характеристики покращуються при зменшенні розмірів.